2Т922В (5-я приемка) транзистор PNP генераторный (IК max =3А) 300 МГц (КТ-17)

2Т922В транзистор PNP генераторный (IК max =3А) 300 МГц (КТ-17) Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта 2Т922В Транзисторы 2Т922В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Технические условия: И93.365.027 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т922В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 9 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (65В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 65 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 175 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 25 пс Технические характеристики транзисторов 2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК max h21Э UКЭ нас. IКЭR IКЭО f гp. PВЫХ КУР А А В В В В Вт В мА мА МГц Вт дБ °С °С 2Т922А n-p-n 0,8 1,5 65 - 4 28 8 >10 0,3 <2 <0,25 >300 5 10 160 -60…+125 2Т922Б n-p-n 1,5 4,5 65 - 4 28 20 >10 0,35 <10 <1 >300 20 5,5 160 -60…+125 2Т922В n-p-n 3 9 65 - 4 28 40 >10 0,4 <20 <2,5 >300 40 4 160 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю. • UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • PВЫХ - выходная мощность транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.