Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям эдс холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности
Description
Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.
Technical Details
| age: | 0 |
| author: | Федор Маняхин |
| genres_list: | 5763,6845 |
| lang: | ru |
| publisher: | МИСиС |
| Type: | book |
| year: | 2002 |
| Форматы: |
Price history chart & currency exchange rate